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台积、联电研发制程追上美日 (2002.01.03) 国内晶圆厂制程竞赛分为两部份:一为由0.13微米跨入0.1微米;另为12吋晶圆厂进入商业量产阶段,除动态随机存取内存 (DRAM)技术仍仰赖技转外,台积电、联电自行研发的制程技术正式追上美、日大厂 |
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凌阳可望摆脱负成长阴影 (2002.01.02) 消费性和视讯IC设计业者包括凌阳、义隆和伟诠均认为今年营运可摆脱去年负成长的阴影,年复合成长率以20%到40%为目标。另一方面,向来以消费性IC为主的凌阳科技主管表示,去年消费性IC占营收比重虽然高达75%,但是成长力道不如想象中来得畅旺 |
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DRAM市场稳定度待观察 (2002.01.02) 近期一二八Mb DRAM现货价在上游制造厂与下游通路商强力拉抬下,由去年十月的○.八五美元历史低点一路向上飙升,在短短二个月内,便站上了二.五美元的变动成本以上价位 |
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IP规费调涨101.02% (2002.01.02) 立法院去年10月4日通过专利法修正案,智能财产局随即修订专利规费标准,新修订的专利证书费与专利年费的调幅达101.02%。此举对专利数目最多的半导体厂商首当其冲,未来智能财产成本将大幅增加 |
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科技业者正逢冲击 (2001.12.27) 麦肯锡2002年第一季季刊报导指出,正当科技业者正遭逢高科技产业不景气之际,科技厂商同时面临诸如有机薄膜晶体管(OTFT)及有机发光二极管(OLED)等新兴科技所带来的更大策略挑战 |
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联电拟于明年卖出八吋厂 (2001.12.27) 根据半导体业界透露,联电八B厂为主,月产能达五万片以上的八吋晶圆机器设备,最近已紧锣密鼓进行最后作业,预计明年三月底前将转卖处分完毕,联电各晶圆厂亦排定明年一月间进行为期七天岁休,此举可能影响联电明年第一季产能调配及营收表现 |
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Hynix可能与美光策略联盟 (2001.12.27) 亟需现金纾困的南韩半导体大厂Hynix(前现代电子)及南韩政府主管当局周三表示,经过第二回合的谈判后,Hynix可能于明年一月与美商半导体业者美光就换股及资产交易,签署策略联盟合作意向书 |
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台积公司聘任张孝威先生担任发言人 (2001.12.27) 台湾集成电路公司27日宣布,自即日起该公司发言人改由资深副总经理暨财务长张孝威先生担任。同时,公共关系部则直接向张忠谋董事长负责。
台积公司表示,此次改派发言人系因为前任发言人陈国慈女士订于明日离职,以专心投入科技法律教育工作之故 |
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凌阳新增影像产品事业中心 (2001.12.26) 凌阳科技25日完成合并全技半导体后首波组织和人事调整,新增四位副总和一位技术总监。另外新增的影像产品事业中心,即由全技总经理陈炽成担任事业部副总,并拔擢其他三个产品事业群协理朱厚宪、曾景楠和欧和荣同时升任副总 |
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SD联盟与工研院光电所合作 (2001.12.26) 由Sandisk、松下及东芝三家公司共同创造的规格,由于和Sony主导的MemoryStick记忆卡相近,因此也成为小型记忆卡世纪之争的主战场。Memory Stick与SD先后在台湾成立联谊会组织,意在藉由台湾优异的硬件设计及制造资源,扩大其在小型记忆卡市场的影响力 |
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经济部决定放弃200亿元投资配额指针 (2001.12.26) 经济部与业者密集研商含8吋晶圆以下晶圆产业登陆管理机制,在业者质疑可能独厚台积电与联电半导体双雄后,经济部产官学项目小组放弃总量管制或配额制的审查方式,改采只要符合使用旧厂设备、在台相对投资金额比例大及主要在海外筹资等条件,即优先放行 |
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ARM与台积电共同拓展晶圆代工合作计划 (2001.12.26) 全球知名的16/32位内嵌式RISC微处理器解决方案的领导厂商— ARM(安谋国际科技股份有限公司)与台积电日前共同宣布台积电透过ARM晶圆代工合作计划而获得ARM946E(tm)与ARM1022E(tm)核心生产授权的晶圆代工厂 |
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SEMI:半导体市场衰退趋缓 (2001.12.24) 北美半导体协会根据SEMI公布的数据,以三个月移动平均计算,接单金额为6.12亿美元,较10月6.47亿美元与去年同期27.1亿美元,分别衰退5%与77%。至于出货金额,11月为8.42亿美元,分别较10月的8.97亿美元与去年同期的24.2亿美元滑落6%与65% |
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晶圆代工产业前景看好 (2001.12.24) 根据设备厂商指出,台积电与联电的高阶制程产能使用率都居高不下,估计台积电明年第一季高阶制程占产品营收比重将会超过六成,市场预期晶圆代工产业前景持续看好,不仅是代工双雄,连新加入代工行列的力晶半导体,也透过钰创科技,间接取得绘图芯片厂商的内存代工订单 |
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台积与PMC-Sierra合作开发高整合系统单芯片 (2001.12.22) 台积公司与美商PMC-Sierra公司20日宣布利用先进的0.13微米制程技术,共同发展系统单芯片(SoC)产品。此次PMC-Sierra的宽带半导体(broadband semiconductors)系统单芯片组件,集结了多项高阶技术,采用互补金氧半导体(CMOS)制程技术,能于单一芯片上支持多层式3 |
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东芝技转0.13微米制程于中芯 (2001.12.21) 日本半导体大厂东芝廿日宣布,已与上海中芯国际签订低功率静态随机存取内存(Low PowerSRAM)策略合作合约,东芝将技转0.13微米的SRAM制程予中芯,并将中芯列为重要代工伙伴,而东芝也以技术作价方式取得中芯约5%的股权 |
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DRAM厂可望否极泰来 (2001.12.21) 近期在韩国三星电子以及 Hynix大厂的作价下,一二八兆位 SDRAM合约价格已顺利站上二美元。现货价格以及合约价格均出现回升契机,一二八兆位SDRAM重返二美元,国内主要 DRAM工厂已回到现金净流入的情况 |
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台积电法务长暨资深副总易将 (2001.12.20) 台积电法务长暨资深副总陈国慈即将于本月底离职,新任法务长人选昨日公布,由曾经在德州仪器担任亚太地区法务长十二年的杜佑东(Dick Thurston)出任。杜佑东是美国人,二十六年前因撰写博士论文来台停留一年,研读中华民国宪法,并习得流利国语,可能是十四年来,台积电多位外籍高阶主管中文程度最佳者 |
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东芝将退出DRAM销售 (2001.12.20) 日前东芝与亿恒合并案破局后,东芝表明将退出标准型DRAM制造与销售,华邦现有八吋晶圆厂在DRAM制程技术上将可延续到何种程度,已成为市场瞩目焦点,市场上因此传出亿恒转向寻求与华邦的合作机会 |
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VIA推出 C3处理器933MHz (2001.12.20) 威盛电子20日宣布推出933MHz VIA C3 处理器芯片;这是继800MHz 版本之后,第三款采用Ezra核心的C3系列产品,同时也系全球率先导入0.13微米制程技术的处理器先锋。
由于内建高效率的核心设计以及超低的耗电表现 |