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R&S推出具成本效益的SMC100A模拟讯号产生器 (2009.01.05)
罗德史瓦兹（Rohde & Schwarz,R&S）运用高阶模拟讯号产生的专门技术，在经济考虑的市场上推出R&S SMC100A经济型讯号产生器，其精巧的外型、极纯的模拟讯号、小于5ms的频率与位准设定时间，提供9KHz~1.1GHz和3.2GHz两种频率范围 |
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日本Nissan汽车将与NEC合作生产车用锂电池 (2009.01.05)
外电消息报导，日本Nissan汽车将与NEC合作生产车用锂电池，以满足未来电动与混动力汽车的应用需求。此投资案双方预计投入11亿美元，估计未来每年可满足20万辆的市场需求 |
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以高整合无线链接方案切入Netbook与MID市场 (2009.01.05)
2009年将是电子产业备受挑战的一年。在低迷景气的冲击下，几乎所有的市场皆陷入前所未有的衰退局面。惟独Netbook与MID市场将逆势独走，成为明年最耀眼的市场。台湾无晶圆半导体公司太欣半导体同样也看好Netbook与MID的市场潜力 |
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为3G-SDI应用提供优质解决方案 (2009.01.05)
目前广播视讯设备的技术发趋势包括：由模拟广播过渡至数字广播；许多视讯设备必须利用数字电路处理视频讯号；所有新开发的视讯设备必须符合SMPTE制定的标准（电影及电视工程师协会SMPTE是国际公认的标准审定组织）；由标准画质（SD）迈向高画质（HD）以至3G-SDI；新技术必须能够支持较高的数据传输速度 |
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创造差异化的电视观赏体验 (2009.01.05)
目前机顶盒（STB）市场出现大幅成长的机会。包括新的广播模式、高分辨率和DVR的需求转变，都推动了主要产品更新以及新的设计契机。此外，IPTV和开发中国家包括中国与印度等，都推升了市场的需求量 |
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ADI推出应用于Femtocell基地台的3G收发器 (2009.01.05)
ADI正式发表可应用于3G femtocell(毫微微)蜂巢式基地台的ADF 4602 -1收发器，可支持用于家庭与办公室无线基础架构设备的全球行动通讯系统（UMTS）无线接口标准。这款高整合型直接转换收发器包含了频率合成器、滤波器以及电源管理电路 |
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支持多个SD卡的切换解决方案 (2009.01.05)
市面上许多手机和便携设备都能透过插入一块SD卡来增加内存。按照SD卡的技术规范，可将多卡与总线连接，假设每个卡都有专门的一套命令和数据信道。要实现这类优化解决方案，必须解决几个问题 |
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日月光在重庆的投资计划将在2009年4月动工 (2008.12.31)
外电消息报导，日月光集团将在重庆市首个投资计划将在2009年4月动工，未来该工厂将以生产消费性电子应用的零组件为主，以及一些电子元器件，预计年产值将可达10亿美元 |
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ROHM全新研发出二极管用大功率封装 (2008.12.30)
半导体制造商ROHM专门针对行动音乐播放器、游戏机、数字相机等，对于小型化、薄型化等需求日益强烈的行动装置市场，全新研发出最小等级的二极管封装「KMD2」（1608(0603 inch)尺寸），而采用此封装的萧特基二极管，预定将自2008年12月起陆续开始提供样品（样品价格为100日圆/个），并预计自2009年4月起分别以月产1000万颗的规模投入量产 |
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ADI推出位准转译ADC驱动器 (2008.12.30)
ADI发表AD 8275位准转译（ level-translating）模拟数字转换器（ADC），该组件能够简化高电压工业与测试仪器设计的信号调节。现在系统设计工程师可以只利用单一组件就能对高电压应用装置中的低电压ADC进行衰减、位准偏移（level-shift）、以及驱动 |
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NI发表新款高密度应变和高电压模块 (2008.12.29)
NI近日发表NI 9225--300 V功率量测模块，还有NI 9235与NI 9236--8个信道的应变规量测模块，进一步扩充了C系列数据撷取系列。这几款模块均支持NI C系列架构装置，包含NI CompactDAQ即插即用数据撷取系统、NI CompactRIO控制/撷取系统，与NI单卡式（Single-Board）RIO嵌入式设计适配卡 |
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ADI新型仪表放大器将减少电路板空间与复杂度 (2008.12.29)
ADI发表高整合型精密仪表放大器前端AD 8295。在工业与仪器应用上，该组件所需的空间比同构型放大器解决方案减少了一半。在4mm×4mm的单一芯片封装当中将世界级的仪表放大器与两颗运算放大器以及两颗经过精密微调的匹配电阻加以整合 |
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富士通针对功率放大器开发CMOS晶体管 (2008.12.29)
富士通微电子近日发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展，此款晶体管具备高崩溃电压的特性，适合支持无线装置所使用的功率放大器。富士通开发此款45奈米世代CMOS晶体管，能支持10V功率输出，让晶体管能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其他高频应用中功率放大器的规格需求 |
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瑞萨科技智能型电池IC 可精确侦测电池残量 (2008.12.29)
瑞萨科技宣布推出R2J24020F Group IC，适用于支持智能型电池系统（SBS）之锂电池。已于2008年12月9日起在日本开始提供样品。
智能型电池系统是电池与装置间的数据与通讯标准化规格 |
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晶诠科技USB 2.0 OTG产品采用MIPS IP核心 (2008.12.29)
美普思科技公司(MIPS)宣布，晶诠科技公司取得MIPS多种 USB 2.0 OTG (Oo-The-Go) PHY(物理层) IP 核心授权，将应用于特许半导体 (Chartered Semiconductor) 的0.18微米、0.13微米、90奈米泛用型(G) 、90奈米低耗电 (LP)以及65奈米制程 |
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并不并？真有学问? (2008.12.28)
这波的金融风暴再次吹出了台湾内存和面板厂的整并问题。有趣的是，所有的人都认为整并是势在必行，但现在是不是时机点？却是众说纷纭。但大家要问的是，如果现在不并 |
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恩智浦将在2009年持续整并和收购扩大业务规模 (2008.12.26)
恩智浦半导体（NXP）在年终记者会中，台湾区总裁王俊坚先生向与会记者介绍了恩智浦在2008年的公司发展状况以及公司对于未来的展望。2008年发生的一连串金融和经济危机，为半导体产业整体带来了很大的挑战 |
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Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣布推出新型20-V和30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V时）及 5.5 mΩ（在4.5 V时）的超低导通电阻 |
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Qcept非光学可视性缺陷检测系统获Soitec使用 (2008.12.24)
半导体制造业新型晶圆检测系统开发商Qcept（Qcept Technologies Inc.）宣布绝缘层上覆硅（SOI）与其他工程基板的供货商Soitec公司，将采用其ChemetriQ 3000非光学可视性缺陷（NVD）检测系统 |
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MAXIM推出宽带数字模拟转换器 (2008.12.24)
MAX19693这颗12位、4Gsps的数字-模拟转换器（DAC）可以直接做高频讯号和宽带讯号的混成。此DAC适用于宽带通讯、雷达和仪器应用上。MAX19693提供了极佳的寄生和噪声效能而且可以用来混成讯号频率范围从DC到2GHz的宽带讯号 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
