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CTIMES / Flash
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
宇瞻擘划科技化资讯服务整合生态系 抢物联网先机 (2016.03.10)
IEK指出,2016年随着车联网、智慧家庭、智慧健康等应用领域逐渐蔚为风潮,物联网将成为产业成长动能。宇瞻科技洞察此发展趋势,顺势发布2016年企业营运展望。 面对庞大资讯储存及应用需求
Computex 2015─宜鼎国际展示完整应用于车联网储存解决方案 (2015.05.26)
宜鼎国际(Innodisk)于6月2日展开的Computex 2015展示旗下产品,将结合闪存(Flash)与易失存储器( DRAM )两大事业部最新产品,分别以Supermicro 1018R-WC0R搭载SeverDOM-V / SATADOM SH 3ME3,DDR4 32GB RDIMM 2400Mhz展示服务器应用、 主流系统平台搭载CFast 3ME3 / mSATA mini 3ME3,DDR4 8G ECC UDIMM展示网通应用、主流系统平台搭载2
盛群新推出A/D Flash触控MCU─BS86D20A-3/BS86C16A-3 (2015.05.05)
盛群(Holtek)推出新一代内建12-bit A/D的Flash触控SOC MCU BS86D20A-3/BS86C16A-3。 内建12-bit ADC可以用在撷取外界环境的模拟讯号,例如温度、湿度或其他电压讯号量测等,适合应用在具备温度/湿度侦测的小家电上,例如电冰箱、电饭煲、电茶壶、电陶炉、电烤箱、微波炉、红酒柜等产品
盛群Cortex-M3微控制器HT32F1653/1654系列接口更丰富 (2015.03.27)
盛群(Holtek)今年再度盛大推出以ARM Cortex-M3为核心的新系列高阶微控制器产品HT32F1653/1654。全新32-bit Flash微控制器系列,最高运行速度仍然高达72MHz(90 DMIPS),操作电压为2
SanDisk:对于Flash的需求 没人逃得过! (2014.06.13)
储存在任何领域,都扮演着一定程度的关键角色。特别是针对快闪记忆体储存解决方案,更是各家业者的兵家必争之地。目前SanDisk在快闪记忆体市场上,拥有十分傲人的成绩,不仅已经是许多知名PC大厂的指定供应商,七​​大主要OEM供应商中,有六家都是SanDisk的客户,更是零售市场的领先品牌,拥有全球第一的市占率
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(下) (2013.07.08)
MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构,在这当中最为关键的三层,上下两层为磁性层(一为参考层,一为自由层),中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列,并可由电流来控制旋转方向
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(上) (2013.07.02)
在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际,工研院电光所的研究团队所开发出来的「垂直式自旋磁性内存技术」荣获杰出研究金牌奖,此一技术乍看之下并不显眼,但该内存技术的背后,却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局
Spansion收购富士通MCU和模拟部门 (2013.05.10)
Spansion与富士通半导体日前宣布,双方将根据拟定的合约,由 Spansion斥资1.1亿美元收购富士通半导体公司的微控制器和模拟事业部,另斥资6500万美元收购两部门的库存。Spansion表示,此一收购案是为了进军系统单芯片解决方案市场做准备
因应产业变化 宇瞻以前瞻思考再创新局 (2013.04.29)
今年智能型手机、平板等行动装置快速成长、DRAM及NAND Flash价格也不断走高,整体景气看旺,对于数字储存市场来说,将会有很大的发展空间。然而也正因为智能手机和平板装置成为未来主流、亦随着云端热潮崛起,产业典范有所变化,科技产业也呈现全新局面,若固守旧有思维,不思求变,将很难在全新的产业型态中生存
旺宏如何让Flash寿命提升上千倍? (2012.12.04)
闪存(Flash)是计算机及电子产品中常用的内存,相较于DRAM,它具有快速记忆数据的特性,切断电源后仍将继续保存数据。不过,经过约1万次抹写循环后,Flash内存的可靠性将大幅降低,日前旺宏电子对此限制有了重大突破,该公司研究人员发现可透过加热修复内存,让它能完成1亿次抹写循环
[Cover]量身打造你的 行动浏览器 (2012.07.08)
Flash不再是昔日王者,HTML5的舞台即将成形。 各大行动浏览器彼此暗中较劲,势力重新洗牌, 展开一场持续不断的舞台争夺战。
Actel Flash FPGA为消费性市场注入新活力 (2009.09.01)
深耕FPGA市场之爱特公司(Actel)在日前媒体研讨会中,向现场媒体记者再次说明该公司最新技术及发展趋势。该公司在航天及军事领域中有极大的市场占比,近几年并以其高稳定性及结合最新快闪技术,将致力积极拓展消费性产品和可携式医疗产品市场
NXP将整合Flash技术至其机顶盒平台 (2009.04.23)
恩智浦半导体(NXP Semiconductor,由飞利浦成立的独立半导体公司)宣布将支持Adobe针对数字家庭推出的Flash平台技术。这项专门针对连接网络的电视机、机顶盒(STB)、蓝光播放器及其他数字客厅设备优化的Flash技术方案将由恩智浦IP机顶盒平台STB225和STB222支持
台积电完成0.18微米嵌入式闪存制程认证 (2009.04.01)
台积电宣布完成0.18微米嵌入式闪存(embedded flash)的制程认证。据了解,新制程可提供1.8~5伏特的标准化制程、以及超低漏电制程(ultra-low leakage)等优势,并提供特定汽车产业认证过的嵌入式闪存IP
华东承启科技将展出全系列工业等级内存模块 (2008.09.08)
华东承启科技(Walton Chaintech Corporation)将于9/9至9/11台北世贸二馆国际集成电路展2D17展出全系列工业等级Flash及DRAM内存模块产品包含工业规格SSD、CF/SD Card、EDM、Un-buffered DIMM等热门工业储存项目,为超频内存模块品牌APOGEE的产品线再增添生力军
恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划 (2008.08.19)
恒忆(Numonyx B.V.)和海力士半导体(Hynix Semiconductor)日前宣布,将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解,两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围,并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化
Atmel将闪存微控制器性能提高至200MIPS (2008.03.04)
Atmel(爱特梅尔)推出内建ARM9核心的AT91SAM9XE系列样品,整合了性能达200MIPS的ARM926EJ-S处理器内核、与512k字节高性能闪存的第一代单芯片闪存微控制器。 SAM9XE系列经过特别设计,能够充分利用专为爱特梅尔基于ARM7的SAM7系列而开发的接口设备和技术
英飞凌将嵌入式Flash制程技术授权IBM (2008.01.08)
英飞凌(Infineon)宣布,将授权130奈米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM。IBM也预计将会在未来相关产品中使用该制程技术,并提供相关服务。此系列芯片将会在IBM北美晶圆厂制造
东芝和SanDisk合资的NAND Flash新厂完工启用 (2007.09.07)
东芝和SanDisk共同在四日市举行了NAND型闪存新厂(Fab4)完工启用典礼。东芝社长西田厚聪表示内存业务是「利润成长」目标具体化的表现,并表示Fab4厂拥有三个世界第一的头衔
宇瞻发表新一代固态硬盘 访问速度快两倍 (2007.05.30)
宇瞻科技发表其新一代的SATA固态硬盘 -- 2.5吋SAFD (Serial ATA Flash Drive),容量高达128GB,为业界唯一采用单一控制芯片,可充分发挥SATA II接口高速传输效能,支持 SATA II 3Gb/s传输接口规格,其连续访问速度可超越100MB/sec,相较目前市场上其它SATA固态硬盘及SATA传统机械硬盘速度快2倍以上

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